GTC2026 |美光科技开始为 Nvidia 量产 HBM4 内存，速度比上一代 HBM3E 快约 2.3 倍

在3月17日的NVIDIA GPU技术大会（GTC）上，美光宣布旗下多款存储产品已同步进入规模生产阶段。所有这些产品都是围绕 NVIDIA Vera Rubin 平台设计的。美光宣布其HBM4生产线于今年第一季度开始量产出货。首批产品是专为 Vera Rubin 平台打造的 36GB 12 层（12 高）堆栈版本。该产品引脚速度超过11 Gb/s，可提供超过2.8 TB/s的内存带宽，比上一代HBM3E大约增加2.3倍，能效提高20%以上。此外，美光科技表示已向客户提供 48GB 16 层（16 高）HBM4 堆栈的初始样品。与 12 层版本相比，该模型的单芯片容量增加了 33%，进一步增加了单个 HBM 位置的可用内存容量。
特别提示：以上该内容（包括图片和视频，如有）由自有媒体平台“网易帐号”用户上传和发布。本平台仅提供信息存储服务。
注：以上内容（包括图片和视频，如有）由网易号用户上传发布，网易号是一个仅提供信息存储服务的社交媒体平台。